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2017安徽省直事业单位招聘统考笔试考试大纲

七、电子信息类

第一部分专业基础

1、电路分析:

电路和电路模型、电流和电压的参考方向、电功率和能量、电阻元件、电压源和电流源、受控源、基尔霍夫定律;

电路的等效变换,电阻的串联和并联,电阻的Y形与△形联接的等效变换,电压源、电流源的串联和并联,实际电源的两种模型及其等效变换,输入电阻;

KCL和KVL的独立方程数、支路电流法、网孔电流法、回路电流法、结点电压法;

叠加原理、替代定理、戴维南定理和诺顿定理、功率传输定理;

电感元件、电容元件、电容元件和电感元件的串并联;

动态电路的方程及其初始条件、一阶电路的零输入响应、一阶电路的零状态响应、一阶电路的全响应、一阶电路的阶跃响应、二阶动态电路过阻尼、欠阻尼及临界阻尼的概念和分析;

复数的概念和运算、正弦量、相量法的基础、电路元件VCR和电路定律的相量形式;

阻抗和导纳、电路的相量图、正弦稳态电路的分析、正弦稳态电路的功率、复功率、功率传输;

互感、含有耦合电感的电路的计算、变压器原理、理想变压器;

网络函数概念、RLC串联电路的谐振和频率响应;

三相电路、线电压(线电流)与相电压(相电流)的关系、对称三相电路的计算、不对称三相电路的概念、三相电路的功率;

二端口网络、二端口网络的方程及其参数。

2、模拟电子线路:

PN结的形成过程,PN结的伏安特性、击穿特性、电容特性;

晶体二极管模型,晶体二极管电路分析方法,晶体二极管的应用原理;

晶体三极管组成结构及分类,电流传输方程,晶体三极管三种不同工作模式(放大、饱和、截止)的工作原理,晶体三极管电路分析方法(图解分析法、工程近似分析法、小信号等效电路分析法),晶体三极管的伏安特性(输入特性曲线族、输出特性曲线族及主要的极限参数);

基本组态放大器的性能指标计算(输入电阻、输出电阻和增益、通频带),改进型放大器(组合放大器、发射极接电阻RE的共发射极放大器、采用有源负载的共发射极放大器)的性能计算,差分放大器的组成、工作原理及性能特点(性能特点包括差模特性、共模特性、共模抑制比),电路两边不对称对性能的影响(双端输出时的共模抑制比、失调及其温漂),晶体三极管差放的差模传输特性,基本镜像电流源电路;

反馈性质和类型的判别方法,深度负反馈条件下的近似计算,稳定性判据,负反馈对放大电路性能的影响、分析方法,负反馈放大器的自激条件和相位补偿原理;

集成运算放大器的典型电路、性能指标,电压比较器的作用,集成运算放大器的理想化条件以及集成运放应用电路的组成原理,常用电压比较器电路和分析方法,集成运算放大器组成运算电路的基本原理,加法、减法器电路,积分和微分电路,对数和反对数电路,乘法、除法器的计算方法。

3、数字逻辑电路:

数字信号的表示方式,数字电路的概念及其分类,二进制数、八进制数、十进制数、十六进制数及其相互转换,8421BCD编码,其他常用BCD编码;

基本逻辑及其运算,真值表和逻辑函数的获得,逻辑函数的相等及三个规则,常用定律和定理公式,最小项和项的概念以及逻辑函数的标准形式,逻辑函数的简化:代数法、图解法、系统法;

晶体管、MOS管开关特性,TTL和CMOS门的电路结构、外部特性、主要参数和正确使用方法,门电路标准推拉输出、开路输出、三态输出的特点和应用,TTL和CMOS门电路的工作原理;

组合逻辑电路的分析和设计方法,全加器,编码器、译码器、数值比较器、数据选择器、奇偶校验器,组合逻辑电路的冒险现象及避免方法;

基本触发器、钟控触发器、主从触发器、边沿触发器,常用触发器:R-S触发器、D触发器、J-K触发器、T触发器;

同步时序逻辑电路(同步计数器)的设计方法,常用时序功能部件(集成计数器、移位寄存器)的逻辑功能及应用;

半导体存储器分类和主要技术指标,SAM、RAM和ROM的结构,用ROM实现组合逻辑电路,SAM、RAM和ROM的工作原理;

D/A和A/D转换器的主要性能指标,D/A和A/D转换器的工作原理;

4、微机原理:

8086微型计算机系统的组成原理、体系结构、指令系统、汇编语言程序设计方法;

存储器的原理和使用,系统总线、中断系统和接口技术。

(责任编辑:李明)

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